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AO4614

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N + P
耐压40 V
导通电阻50 mΩ

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技术参数

沟道N + P
耐压40 V
导通电阻50 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)40V
其他
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V,4A
数量1个N沟道+1个P沟道
耗散功率(Pd)1.28W

技术资料

数据手册数据手册 · 24.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 22.5 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 357.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 112.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 3.2 KB · 2026-09-21
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