TWGMC(台湾迪嘉)中国

AO3401

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻65 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4.2 A
导通电阻65 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
其他
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V,4.2A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 947.7 KB · 2026-09-21
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