商品目录 场效应管(MOSFET)；类型 1个P沟道；漏源电压(Vdss) 30V；连续漏极电流(Id) 4.1A；功率(Pd) 350mW；导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,4.1A；阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA