30N06
晶体管 - FET，MOSFET - 单本品为消费级N沟道MOSFET，采用高效TO-252-2L封装。具备60V耐压及30A电流承载能力，适用于各类中低压开关电路，能有效提升系统能效，稳定可靠，是您电子产品设计的理想选择。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻26 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻26 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V,15A |
| 数量 | 1个N沟道 |