30N06-ES
晶体管 - FET，MOSFET - 单N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻45 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |