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技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.8A
VCBO-集基级击穿电压40V
VCEO-CE结击穿电压40V
VCEO-集射级击穿电压32V
VEBO-射基级击穿电压5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益120
Hfe-最小直流增益120
环境与封装
封装类型1SOT23
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.225W
VCE(sat)-集射级饱和压降0.4V
引脚数量13

技术资料

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