2SD1781K

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技术参数

电源
IC-最大集电极电流	0.8A
VCBO-集基级击穿电压	40V
VCEO-CE结击穿电压	40V
VCEO-集射级击穿电压	32V
VEBO-射基级击穿电压	5V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	NMHZ
hFE-最小直流增益	120
Hfe-最小直流增益	120
环境与封装
封装类型1	SOT23
最大工作温度	150℃
其他
Pd-功率耗散	0.2W
Pd-最大功率耗散	0.225W
VCE(sat)-集射级饱和压降	0.4V
引脚数量1	3

技术资料

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