BORN(伯恩半导体)中国

2N7002T

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流200 mA
导通电阻4 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流200 mA
导通电阻4 Ω最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200mA
其他
导通电阻(RDS(on))4Ω@4.5V,200mA
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 23.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 581.0 KB · 2026-09-21
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