2N7002LT1G

在产

MOS · 中低压 沟槽Trench MOS

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技术参数

电源
漏源电压 Vdss (V)60 V
连续漏极电流 Id (A)340 mA
阈值电压 Vgs(th) (V)2.5V
环境与封装
封装SOT-23(TO-236)
封装规格SOT-23(TO-236)
其他
反向传输电容 Crss (pF)10pF
导通电阻 RDS(on) (Ω)1.7Ω@4.5V
数量1个N沟道
类型N沟道
耗散功率 Pd (W)0.35W
输入电容 Ciss (pF)40pF
输出电容 Coss (pF)30pF

技术资料

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