2N7002K
MDD德国

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流500 mA
导通电阻900 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流500 mA
导通电阻900 mΩ最大 · 300mA
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23.8 pF @ 10 V
MfrMDD
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 300mA, 10V
SeriesSOT-23
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

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