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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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沟道
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沟道
N 沟道
耐压
60 V
连续漏极电流
500 mA
导通电阻
7.5 Ω
最大 · 5V
电源
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
500mA
其他
导通电阻(RDS(on))
7.5Ω@5V,50mA
数量
1个N沟道
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数据手册 · 592.0 KB · 2026-09-21
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数据手册 · 128.0 KB · 2026-09-21
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