2N7002
GME(银河微电)中国

2N7002

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻4.4 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流115 mA
导通电阻4.4 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
其他
导通电阻(RDS(on))4.4Ω@10V,500mA
数量1个N沟道

器件图片

2N7002实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 59.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 385.8 KB · 2026-09-21环保合规环保合规 · 1.5 MB · 2026-09-22封装图纸封装图纸 · 941.5 KB · 2026-09-22环保合规环保合规 · 874.0 KB · 2026-09-22封装图纸封装图纸 · 439.2 KB · 2026-09-22封装图纸封装图纸 · 303.4 KB · 2026-09-22
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