VBTA32S3M 国产替代 型号

原型号

VB

VBsemi(微碧半导体)VBTA32S3M

ID-最大漏极电流1AQg-栅极电荷NnCRDS(on)-漏源导通阻抗300mΩVDSS-最大漏源电压20V