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MLD1N06CLT4G-VB 国产替代 型号

原型号
VBsemi(微碧半导体)MLD1N06CLT4G-VB
导通电阻(RDS(on))85mΩ@4.5V数量1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)18A